更新時間：2019-01-11
雪崩能量測試儀系統主要用于 IGBT、FRD、MOS器件單脈沖及重復脈沖雪崩能量測試。測試電流 200A，電壓 4500V，雪崩能量可達2000J。
半導體分立器件作為在電力電子行業中應用為廣泛的基礎元件，其性能表現對整個電子電路系統來講十分重要。選擇合適的分立器件就需要該器件能夠承受電路中的電流，滿足一定的雪崩耐量。
雪崩能量測試儀測試的電壓和電流波形同時被采集到示波器，并由示波器與工控機直接通訊，將采集數據傳輸給計算機，計算機將測試數據以EXCEL表格形式顯示并進行終的編輯和打印。
HUSTEC2020 雪崩能量測試儀
功能指標：
| 配置 | 測試范圍 | 測試參數 | 條件 | 范圍 | |
| 電壓 | IGBTs | EAS/單脈沖雪崩能量 | VCE | 20V～4500V | 20~100V±3%±1V |
| 電流 | MOSFETs | EAR/重復脈沖雪崩能量 | Ic | 1mA～200A | 1mA～100mA±3%±0.1mA |
| DIODEs | IAS/單脈沖雪崩電流 | Ea | 1J～2000J | 1J～100J±3%±1J | |
| PAS/單脈沖雪崩功率 | IC檢測 | 50mV/A（取決于傳感器） | |||
| 感性負載 | 10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、 | ||||
| 重復間隙時間 | 1~60s可調（步進1s） 重復次數：1~50次 | ||||
