更新時間：2019-01-11
華科智源大功率IGBT測試系統設備主要針對IGBT及MOS管的測試儀，適用于芯片設計，產線封裝測試及新能源汽車，風力發電，地鐵交通等領域的大功率器件及模塊測試，設備模塊化程度高，測試穩定性及測試精度在客戶端已經廣泛使用?？梢愿鶕陀脩粜枨筮M行定制。電動汽車用IGBT動態參數測試儀-華科智源
| 品牌 : | 華科智源 | 型號 : | HUSTEC-2015 |
| 加工定制 : | 是 | 類型 : | 電參數測試儀 |
| 測量范圍 : | 電壓2000V，電流1000A | 精確度 : | 正負1%精度 |
| 儀表尺寸 : | 800*600*1800 | 適用范圍 : | 在線檢修，來料檢驗，失效分析 |
| 儀表重量 : | 100kg | 工作電源 : | 220V |
| 規格 : | IGBT動態參數測試儀 | 測量精度 : | 正負%1精度測量 |
| 功率 : | 300W | 頻率 : | 50Hz |
Product details
華科智源大功率IGBT測試系統設備主要針對IGBT及MOS管的測試儀，適用于芯片設計，產線封裝測試及新能源汽車，風力發電，地鐵交通等領域的大功率器件及模塊測試，設備模塊化程度高，測試穩定性及測試精度在客戶端已經廣泛使用?？梢愿鶕陀脩粜枨筮M行定制。
測試系統以2000A為一個電流模塊,以1500V為一個電壓模塊，電流電壓可升級；
華科智源大功率IGBT測試系統技術規范提出的是限度的要求，并未對所有技術細節作出規定，也未充分引述有關標準和規范的條文，供貨方應提供符合工業標準和本技術規范的優質產品。本技術規范所使用的標準如遇與供貨方所執行的標準不*時，應按較高標準執行。
華科智源大功率IGBT測試系統，IGBT動態參數測試儀，功率半導體模塊測試系統的設計、制造、檢查、試驗等遵循如下國內標準，但不限于以下標準。
GB 13869-2008 用電安全導則
GB19517-2004 國家電器設備安全技術規范
GB/T 15153.1-1998 運動設備及系統
GB 4208-2008 外殼防護等級（IP代碼）（IEC 60529：2001，IDT）
GB/T 191-2008 包裝儲運圖示標志
GB/T 15139-1994 電工設備結構總技術條件
GB/T 2423 電工電子產品環境試驗
GB/T 3797-2005 電氣控制設備
GB/T 4588.3-2002 印制板的設計和使用
GB/T 9969-2008 工業產品使用說明書總則
GB/T 6988-2008 電氣技術用文件的編制
GB/T 3859.3 半導體變流器變壓器和電抗器
GB/T 311.1 絕緣配合第1部分：定義、原則和規則
IEC 60747-2/GB/T 4023-1997 半導體器件分立器件和集成電路第2部分:整流二極管
IEC 60747-9:2007/GB/T 29332-2012 半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBTs）
3.1.1 功能與測試對象
*1）功能
華科智源大功率IGBT測試系統，IGBT動態參數測試儀，測試單元具備測試IGBT模塊動態參數測試。具體測試參數及指標詳見表格411。
*2）測試對象
被測器件主要IGBT模塊。
3.1.2 IGBT模塊動態測試參數及指標
華科智源大功率IGBT測試系統，IGBT動態參數測試儀，測試單元對IGBT模塊和FRD的動態參數及其他參數的定義滿足標準IEC60747-9以及IEC60747-2。如有其他需求，可自行定義。
以下參數的測試可以在不同的電壓等級、電流等級、溫度、機械壓力、回路寄生電感以及不同的驅動回路參數下進行。
1）圖2 IGBT開通過程及其參數定義動態測試參數
IGBT的開通和關斷波形及其相關參數的定義如圖2、圖3所示。
圖2 IGBT開通過程及其參數定義
圖3 IGBT關斷過程及其參數定義
表格2 可測量的IGBT動態參數
| 參數名稱 | 符號 | 參數名稱 | 符號 |
| 開通延遲時間 | td(on) | 關斷延遲時間 | td(off) |
| 上升時間 | tr | 下降時間 | tf |
| 開通時間 | ton | 關斷時間 | toff |
| 開通損耗 | Eon | 關斷損耗 | Eoff |
| 柵極電荷 | Qg | 拖尾時間 | tz |
| 短路電流 | ISC | / | / |
可測量的FRD動態參數
| 參數名稱 | 符號 | 參數名稱 | 符號 |
| 反向恢復電流 | IRM | 反向恢復電荷 | Qrr |
| 反向恢復時間 | trr | 反向恢復損耗 | Erec |
3.1.華科智源大功率IGBT測試系統，IGBT動態參數測試儀反偏安全工作區參數及指標
3.1.4華科智源大功率IGBT測試系統，IGBT動態參數測試儀保護安全功能
本測試單元應具備完善的保護功能，除可有效保護操作人員不受事故傷害外，還在發生故障時不會造成設備自身的較大損壞，通過采取更換小型部件的方式即可修復。保護功能包括但不限于如下功能：
l *高壓測試前可選低壓預測試驗證系統安全及連接良好
l *完備的人身安全防護
l 測試結束電容自動放電
l 測試過程中短路保護（非短路測試）
l *被測器件防爆保護
本測試單元包括動態參數測試部分，主要組成材料及其要求如下所示。
3.2.1 華科智源大功率IGBT測試系統，IGBT動態參數測試儀動態參數測試部分主要材料清單
表格12動態參數測試部分組成
| 序號 | 組成部分 | 單位 | 數量 |
| 1 | 可調充電電源 | 套 | 1 |
| 2 | 直流電容器 | 個 | 8 |
| 3 | 動態測試負載電感 | 套 | 1 |
| 4 | 安全工作區測試負載電感 | 套 | 1 |
| 5 | 補充充電回路限流電感L | 個 | 1 |
| 6 | 短路保護放電回路 | 套 | 1 |
| 7 | 正常放電回路 | 套 | 1 |
| 8 | 高壓大功率開關 | 個 | 5 |
| 9 | 尖峰抑制電容 | 個 | 1 |
| 10 | 主回路正向導通晶閘管 | 個 | 2 |
| 11 | 動態測試續流二極管 | 個 | 2 |
| 12 | 安全工作區測試續流二極管 | 個 | 3 |
| 13 | 被測器件旁路開關 | 個 | 1 |
| 14 | 工控機及操作系統 | 套 | 1 |
| 15 | 數據采集與處理單元 | 套 | 1 |
| 16 | 機柜及其面板 | 套 | 1 |
| 17 | 壓接夾具及其配套系統 | 套 | 1 |
| 18 | 加熱裝置 | 套 | 1 |
| 19 | 其他輔件 | 套 | 1 |
3.3.1 華科智源大功率IGBT測試系統，IGBT動態參數測試儀動態參數測試單元技術要求
3.3.1.1 環境條件
1) 海拔高度：海拔不超過1000m；
2) 溫度：儲存環境溫度 -2060；
3) 工作環境溫度： -540；
4) 濕度：20RH 至 90RH (無凝露，濕球溫度計溫度: 40以下)；
5) 震動：抗地震能力按7級設防，地面抗震動能力0.5g；
6) 防護：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導電粉塵等空氣污染的損害；
3.3.1.2華科智源大功率IGBT測試系統，IGBT動態參數測試儀
華科智源大功率IGBT測試系統設備主要針對IGBT及MOS管的測試儀，適用于芯片設計，產線封裝測試及新能源汽車，風力發電，地鐵交通等領域的大功率器件及模塊測試，設備模塊化程度高，測試穩定性及測試精度在客戶端已經廣泛使用?？梢愿鶕陀脩粜枨筮M行定制。華科智源專業提供動態參數測試|IGBT測試儀|雪崩能量測試儀|IPM測試儀|分立器件測試系統。
